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为此，研究人员开发了超界面工程技术，在规模化二维闪存中实现了具备原子级平整度的异质界面，结合高精度的表征技术，显示集成工艺优于国际水平。研究人员通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试，证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，在纳秒级非易失编程速度下的良率可高达98%，这一良率高于国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。 格隆汇7月29日丨中科创达(300496)(300496.SZ)在投资者互动平台表示，公司推出的面向中央计算的"端侧智能"原生整车操作系统—滴水OS, 成为公